Système de dépôt des couches minces par pulvérisation physique (PVD)
Documentation Technique CITT
/ Spécifications Techniques
Type : Évaporation par faisceau d’électrons et pulvérisation magnétron
Vide : 10⁷ mbar (pompe turbo moléculaire)
Cathodes : 3 magnétrons RF de 2 pouces + canon à électrons (4 creusets rotatifs)
Température : Jusqu’à 450 °C, port échantillon chauffable et rotatif
Contrôle : Supervision logicielle (pompage, dépôt, flux gaz), QCM intégré pour suivi d’épaisseur
/ Applications & Domaines
Microélectronique : Dépôt de couches minces pour transistors et circuits intégrésPhotonique : Fabrication de composants (lasers, diodes)Nanotechnologie : Dépôts de nanostructures (nanotubes, OLED)Recherche : Dépôt polyvalent pour divers matériaux
Avantages Majeurs
Forte résistance : Augmente la dureté, l'usure et la corrosion des pièces
Faible friction : Réduit les frottements, améliorant les performances et l'efficacité énergétique
Adhérence et densité : Couche fine (1-6 microns) et dense déposée au niveau atomique, sans risque de délaminage
Protection contre l'oxydation : Empêche la dégradation de la surface due à l'humidité ou l'oxygène
Polyvalence des matériaux : Applicable sur l'acier, le titane, les céramiques, le plastique, etc.